Une augmentation de la capacité de mémoire vive s'avère indispensable lorsque vos applications de gestion ralentissent. Ce module de mémoire RAM 4Go pour IBM-Lenovo ThinkServer TS200v apporte une solution directe pour fluidifier l'exécution des tâches quotidiennes de votre entreprise. Conçu spécifiquement pour l'architecture DDR3-10600 avec correction d'erreurs ECC, ce composant s'intègre harmonieusement dans votre infrastructure informatique existante sans nécessiter de configuration logicielle complexe.
La technologie ECC intégrée détecte et corrige automatiquement les altérations de données à l'intérieur du système. Cela élimine les risques de plantage inattendu, assurant ainsi une continuité de service irréprochable pour l'hébergement de vos bases de données ou de vos serveurs de fichiers locaux. Votre équipe bénéficie d'un environnement de travail stable, sans interruption de productivité.
| Attribut | Spécification de la pièce |
|---|---|
| Capacité de stockage | 4 Go |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM |
| Fréquence d'horloge | 1333 MHz (PC3-10600) |
| Contrôle d'intégrité | ECC (Error Correcting Code) |
| Compatibilité matérielle | IBM-Lenovo ThinkServer TS200v (1010-xxx) |
| Format du module | DIMM 240 broches |
La mise à niveau de la mémoire s'effectue par simple insertion dans les fentes prévues sur la carte mère du serveur. Les dimensions exactes respectent les tolérances du constructeur d'origine pour éviter tout frottement ou mauvaise connexion électrique. Cette modification prolonge la durée d'utilisation de votre matériel actuel en évitant le remplacement complet d'une station de travail coûteuse.
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